(삼성전자)HBM 16H Stacking을 위한 D2W HCB(하이브리드 본딩)
HBM 트랜드:최근 AI시장의 폭풍성장으로 주목받고 있는 고속 대역폭 메모리(HBM)은 멀티 다이 스태킹(Multi-die Stacking) 기술이다. 기존의 방식과 다르게, DRAM을 수직으로 쌓으며, 용량과 I/O를 확보한 신기술이다. DRAM을 결합하는 방법으로는 TSV로 구멍을 뚫어 Copper(구리)를 채우고, Bump를 통해 결합하는 방식으로 진행되었다. 하지만, Bump의 높이마저 줄여 경박단소를 위해, 하이브리드 구리 본딩(Hybrid Cu Bonding, HCB) 기술이 주목받고 있습니다. 이는 전력 효율성, 밀도, 속도, 대역폭 및 열 방출과 같은 여러 가지 이점을 제공하며, 구리 패드(Cu pad)와 직접 연결할 수 있기 때문입니다. 그러나 HCB 기술을 적용하기 위해서는 구리 패드의..